[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710008080.5 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017833A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 高野圭惠;大泽信晴;加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G06K19/077 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当在线圈状天线部内形成有占有大面积的导电层时，难以稳定地供应电源。通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以防止电流流过存储电路部所包括的占有大面积的导电层，并可以谋求低耗电量。另外，通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以有效地利用空间。因此，可以实现半导体装置的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在具有绝缘表面的衬底上的集成电路、以旋涡形状为主要结构的天线、以及元件，其中，所述元件包括第一电极、第二电极、以及夹在所述第一电极和所述第二电极之间的包含有机化合物的层；所述天线电连接到所述集成电路；所述第一电极或所述第二电极电连接到所述集成电路；以及所述天线与所述第二电极重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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