[发明专利]电子发射元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710008081.X | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017755A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 村上俊介 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;H01J31/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电子发射元件的制造方法，该电子发射元件具有阴极和位于该阴极上的包含金属的电子发射层，其特征在于，所述制造方法包括：(A)制备导电性的第一层、位于该第一层上的第二层、与第二层接触的含有金属的第三层的第一步骤；(B)使所述金属从所述第三层扩散到所述第二层的第二步骤。其目的在于，提供一种能简易制成的、能比较容易地控制电子发射膜中的金属量的、与电子发射膜接触的电极和电子发射膜的紧贴性良好的电子发射元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射元件的制造方法，该电子发射元件包括阴极(2)、电子发射膜(3)、和设置在所述电子发射膜上的预定的区域上的电极(4)，所述电子发射膜包含设置在所述阴极上并且在其中具有电子发射区的具有金属的碳层，所述方法包括以下的步骤：A、制备具有形成所述阴极的导电层(10)、在该导电层上的碳层(11)、与该碳层接触的金属层或含金属的层(12)的结构；B、把所述金属层或含金属的层中包含的金属扩散到所述碳层中。
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