[发明专利]氮化物半导体发光元件无效
| 申请号： | 200710008167.2 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101009352A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;平山秀树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势垒层(13b)的铟组分。InAlGaN势阱层(13a)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。InAlGaN势垒层(13b)的铝组分小于InAlGaN层(19)的铝组分。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，设有：n型氮化镓类半导体层；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层(1＞X1＞0，1＞Y1＞0)和InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层(1＞X2＞0，1＞Y2＞0)的量子阱发光层；设置在所述量子阱发光层与所述n型氮化镓类半导体层之间的InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层(1＞X3＞0，1＞Y3＞0)；以及具有比所述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的材料的禁制带宽大的禁制带宽的p型AlGaN半导体层，其中，所述量子阱发光层设置在所述p型AlGaN半导体层与所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层之间，所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层的铟组分X3大于所述InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铟组分X1，所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层的铟组分X3大于所述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铟组分X2，所述InX1AlY1Ga1-X1-Y1N势阱层的铝组分Y1小于所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层的铝组分Y3，所述InX2AlY2Ga1-X2-Y2N势垒层的铝组分Y2小于所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层的铝组分Y3，所述量子阱发光层的氧浓度低于所述InX3AlY3Ga1-X3-Y3N层的氧浓度。
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