[发明专利]加热处理装置和方法、控制程序和计算机可读存储介质有效

申请号：	200710008223.2	申请日：	2007-01-25
公开（公告）号：	CN101009213A	公开（公告）日：	2007-08-01
发明（设计）人：	青木茂树;坂井祐一;山下光夫;新屋浩	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/00	分类号：	H01L21/00;H01L21/027;H01L21/324;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/16;G03F7/00
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种可兼顾高均匀性和高制品生产率的加热处理装置和加热处理方法，并提供可进行重视高均匀性处理和重视高制品生产率处理的加热处理装置，包括：加热基板W用的加热板(121)；围绕加热板(121)上方空间的盖(123)；排出盖(123)内的气体并在加热板(121)上方空间形成排气流的排气流形成机构(135、149)；在加热板(121)上的基板W上面形成一样地供给的下冲气流的下冲气流形成机构(141、153)；以及控制机构(155)，能够进行控制，以切换由下冲气流形成机构(144、153)形成下冲气流并加热基板W的模式和由排气流形成机构(135、149)形成排气流并加热基板W的模式。
搜索关键词：	加热处理装置方法控制程序计算机可读存储介质
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【主权项】：

1.一种加热处理装置，能够对基板进行加热处理，其特征在于，包括：加热基板用的加热板；围绕所述加热板的上方空间的盖；在所述加热板的上方空间形成主要实现均匀加热处理用的气流的第一气流形成机构；和在所述加热板的上方空间形成主要排出除去从基板产生的气体和/或升华物的气流的第二气流形成机构，其中，能够有选择地切换所述第一气流形成机构和所述第二气流形成机构。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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