[发明专利]用于形成嵌段共聚物图形的方法及相应的半导体结构

摘要

本发明提供了一种用于在衬底表面上形成自组织图形的方法。首先，在衬底上施加嵌段共聚物层，所述层包括具有两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分的嵌段共聚物，所述衬底包括在其中具有沟槽的衬底表面。所述沟槽具体包括至少一个窄区域，其两侧连接两个宽区域，其中所述沟槽具有超过50％的宽度变化。接着，实施退火，以在所述嵌段共聚物层中的两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分之间实现相分离，由此形成由重复结构单元限定的周期性图形。具体地说，所述沟槽的窄区域处的周期性图形在预定方向上排列并且基本上无缺陷。本发明还描述了通过上述方法形成的嵌段共聚物膜和包括此嵌段共聚物膜的半导体结构。

主权项

1.一种用于在衬底表面上形成图形的方法，包括：在衬底上施加包括两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分的嵌段共聚物层，其中所述衬底包括在其中具有沟槽的衬底表面，所述沟槽包括至少一个窄区域，其两侧连接两个宽区域，以及所述沟槽具有大于50％的宽度变化；以及退火所述嵌段共聚物层以在所述沟槽内形成周期性图形，其中所述周期性图形由重复结构单元限定，以及在所述沟槽的所述窄区域处的所述周期性图形在预定方向上排列并且基本上无缺陷。