[发明专利]提拉法生长Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体无效

申请号：	200710008506.7	申请日：	2007-01-30
公开（公告）号：	CN101235544A	公开（公告）日：	2008-08-06
发明（设计）人：	唐丽永;王国富	申请（专利权）人：	中国科学院福建物质结构研究所
主分类号：	C30B29/32	分类号：	C30B29/32;C30B15/00
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	350002福***	国省代码：	福建;35
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摘要：	提拉法生长Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体，涉及晶体材料生长领域。采用提拉法，生长温度1136℃，15－40转/分钟的晶体转速，0.2－3毫米/小时的拉速，生长出了高光学质量、较大尺寸的Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体。采用本发明方法生长出的Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体，克服了常用生长方法生长出的Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体薄片状生长的缺点，提高了Nd³⁺∶KLa(WO₄)₂晶体的尺寸大小、生长速率和晶体质量，使得生长周期缩短了约70％，生长成本降低50％以上。
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【主权项】：

1. 一种提拉法生长Nd3+:KLa(WO4)2晶体的方法，其特征在于：生长在铂金坩埚中、空气中进行，生长温度1136℃，提拉速度0.2-3.0毫米/小时，晶转15-40转/分钟。

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