[发明专利]一种低温合成碳化硅的原料配方及方法无效

专利信息
申请号: 200710008663.8 申请日: 2007-03-07
公开(公告)号: CN101041437A 公开(公告)日: 2007-09-26
发明(设计)人: 魏可镁;郑勇;郑瑛;王榕 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 福州元创专利代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350002*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种低温合成碳化硅的原料配方及方法,该原料配方为:蔗糖,乙醇水溶液,硝酸铁,正硅酸乙酯,酸催化剂;步骤为:将蔗糖溶于乙醇水溶液中,加入硝酸铁,同时滴加正硅酸乙酯和酸催化剂制备成碳化硅前驱体干凝胶;将干胶置于真空石墨炉中碳热还原制备碳化硅,将样品冷却至室温并在空气中处理数小时,用氢氟酸和硝酸的混合溶液洗涤,水洗、过滤、烘干,得到纯的碳化硅。本发明合成碳化硅所需的最低反应温度可降为850℃,与现有技术相比,本发明的反应温度低,因此耗能少;所采用的原料来源容易,价格低廉,有利于降低生产成本,所需的设备简单,操作易行,容易实现规模生产合成。
搜索关键词: 一种 低温 合成 碳化硅 原料 配方 方法
【主权项】:
1.一种低温合成碳化硅的原料配方,其特征在于:所述原料配方的重量份数为:蔗糖1份,95%~99%的乙醇水溶液1.2~1.8份,硝酸铁0.1~0.2份,正硅酸乙酯2~2.5份,酸催化剂0.01~0.1份;所述的酸催化剂为3~3.5%草酸、浓硝酸或浓盐酸中的一种。
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