[发明专利]一种具有成分梯度的多组分高频铁磁薄膜材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710009848.0 申请日: 2007-11-20
公开(公告)号: CN101206945A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 李山东;杜正恭;刘美梅;王大伟;李培友;程唤龄 申请(专利权)人: 福建师范大学
主分类号: H01F10/14 分类号: H01F10/14;H01F41/18
代理公司: 福州元创专利代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350007福建省福州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种在室温条件下制备具有成分梯度的高频铁磁薄膜材料的方法。其方案是:在真空薄膜梯度溅射装置中,采用铁磁材料为主材料靶,置于被溅镀基板的正下方;以单质、氧化物、氮化物、硼化物、碳化物或磷化物为掺杂物,置于向外偏离基板中心的位置,溅镀时来自主材料靶的成分在该基板上形成均匀的薄膜,来自掺杂物靶的成分形成沿某一方向具有掺杂物成分呈梯度分布的薄膜。本发明采用主材料靶正对,而掺杂物靶偏心的设计,实现掺杂物成分的梯度分布,达到获得单轴磁各向异性的目的。所制备的薄膜材料,饱和磁化强度(Ms)值在8~25kG,单轴各向异性等效场(Hk)50~400Oe,或更高,自共振频率接近3GHz或更高。
搜索关键词: 一种 具有 成分 梯度 组分 高频 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有成分梯度的多组分高频铁磁薄膜材料的制备方法,其特征是在真空薄膜梯度溅射装置中,采用铁磁材料为主材料靶,置于被溅镀的基板的正下方;以元素单质、氧化物、氮化物、硼化物、碳化物或磷化物为掺杂物靶材料,置于向外偏离基板中心的位置,进行溅镀反应,制备出一种具有成分梯度的多组分高频铁磁薄膜材料。
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