[发明专利]真空感应化学气相沉积/渗透系统分布式控制装置无效
申请号: | 200710010132.2 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN101003896A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 王庆;巴德纯;王冬 | 申请(专利权)人: | 锦州市三特真空冶金技术工业有限公司;东北大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人: | 崔兰莳 |
地址: | 121003辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种真空感应化学气相沉积/渗透系统分布式控制装置属于自动控制领域。本发明装置包括上位机、协议转换器、温度控制器、DA转换模块、真空计、质量流量控制器和可编程控制器,当可编程控制器的个数大于1时还包括适配器。上位机分别与可编程控制器、协议转换器相连,当可编程控制器的个数大于1时通过适配器与上位机相连,协议转换器分别与温度控制器、DA转换器相连,DA转换器与真空计、质量流量控制器相连。上位机嵌入了系统登录模块、控制系统界面模块、串口通信模块、温度控制模块、流量控制模块、真空度采集模块和数据存储模块。本发明通讯、数据处理能力强;控制系统的结构易于调整、升级,抗干扰能力强;通用性强。 | ||
搜索关键词: | 真空 感应 化学 沉积 渗透 系统 分布式 控制 装置 | ||
【主权项】:
1.一种真空感应化学气相沉积/渗透系统分布式控制装置,其特征在于包括上位机、协议转换器、温度控制器、DA转换模块、真空计、质量流量计和可编程控制器,当可编程控制器的个数大于1时还包括适配器,上位机分别与可编程控制器、协议转换器相连,当可编程控制器的个数大于1时,可编程控制器通过适配器与上位机相连,协议转换器分别与温度控制器、DA转换器相连,DA转换器与真空计、质量流量控制器相连。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的