[发明专利]二氮杂萘联苯型磺化聚芳醚腈电解质膜材料制备法无效

专利信息
申请号: 200710010335.1 申请日: 2007-02-05
公开(公告)号: CN101016375A 公开(公告)日: 2007-08-15
发明(设计)人: 朱秀玲;梁勇芳;王国庆;张耀霞;蹇锡高 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C08G65/40 分类号: C08G65/40;H01M8/02;H01M8/10;H01M10/02;H01M10/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 代理人: 侯明远;李宝元
地址: 116024辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了二氮杂萘联苯型磺化聚芳醚腈离子导电膜材料制备法,并涉及其应用。其特征在于聚合物含有式1所示的结构单元,通过二氮杂萘酮联苯类双酚、二卤(或二硝基)苯甲腈,3,3’-二磺酸盐-4,4’-芳族二卤(或二硝基)和芳族二卤(或二硝基)为单体,以碱金属或碱土金属的碱或盐类为催化剂,在非质子极性溶剂中通过高温共聚合反应制得。其中R1、R2、R3、R4可以是烷基、烷氧基、苯基、卤素原子或氢原子。本发明的效果和益处是磺化聚芳醚腈具耐高温,韧性好、强度大、溶胀率低、高的质子导电率、良好的亲水性等特点,可应用于燃料电池或储能电池或相关膜分离等技术领域。
搜索关键词: 二氮杂萘 联苯 磺化 聚芳醚腈 电解 质膜 材料 制备
【主权项】:
1.二氮杂萘联苯型磺化聚芳醚腈电解质膜材料制备法,其特征在于发明聚合物的大分子链中包含以下重复结构单元:其中R1、R2、R3、R4可以是烷基、烷氧基、苯基、卤素原子或氢原子。
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