[发明专利]一种高强度Mg-Zn-Ce-Ag合金及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200710010867.5 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101280379A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 张海峰;蔡静;李宏;王爱民;刘正;胡壮麒 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22C23/00 分类号: C22C23/00;B22D21/04;B22D27/04;B22D27/15
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及镁合金制备技术,具体为一种高强度Mg-Zn-Ce-Ag镁合金及其制备方法。该合金为镁稀土系合金体系,其成分为Mg-1%Zn-2%Ce-1%Ag(原子百分比),该合金的初晶α-Mg晶粒粒径为10-40μm,第二相Mg12Ce粒子均匀、弥散分布,二次枝晶间距为6-9μm。本发明镁合金采用铜模浇铸的方法制备,铜模浇铸工艺的快速冷却使合金的晶粒细化,第二相均匀、弥散分布,从而使该镁合金具有高的压缩强度和塑性。本发明开发了一种制备高压缩强度Mg-Zn-Ce-Ag合金的新方法,拓展了镁合金材料的应用领域。
搜索关键词: 一种 强度 mg zn ce ag 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
1. 一种高强度Mg-Zn-Ce-Ag合金,其特征在于:镁合金组织由初晶α-Mg和第二相Mg12Ce组成,其中,初晶α-Mg所占的体积分数为40-60%,第二相Mg12Ce所占的体积分数为40-60%,该合金的初晶α-Mg晶粒粒径为10-40μm,第二相Mg12Ce粒子均匀、弥散分布,二次枝晶间距为6-9μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710010867.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top