[发明专利]一种PIN结构TiO2基紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种用于紫外光探测的PIN结构的TiO₂基紫外光探测器及其制作方法。紫外光探测器包括导电基底、N型半导体接触层、本征TiO₂有源层、P型宽带隙半导体接触层。制作紫外光探测器包括下列步骤：在预处理后的导电基底上制备N型接触层；在N型接触层上制备本征TiO₂有源层；采用干法刻蚀技术对有源层四周进行部分刻蚀；在有源层的刻蚀部分制备P型接触层；在P型接触层上制作P型欧姆电极；在导电基底上制作N型欧姆电极；本发明具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧，成本低廉，而且使用寿命长等诸多优点。薄膜制备工艺简便成熟。可防止除紫外光以外的其它光源的干扰。

主权项

1、一种pin结构的TiO2基紫外光探测器，其特征在于，包括导电基底(1)，位于导电基底(1)上的N型接触层(2)，位于N型接触层(2)上的作为紫外光吸收层的本征TiO2有源层(3)，位于本征TiO2有源层(3)上的P型接触层(4)，至少一个位于P型接触层(4)上的P型欧姆电极(5)和至少一个位于导电基底(1)上的N型欧姆电极(6)。