[发明专利]一种氧化锆涂层制备工艺无效
| 申请号： | 200710011312.2 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101307424A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 孙超;王启民;宫骏;王铁刚;刘山川;华伟刚;鲍泽斌;肖金泉;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/54 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及涂层制备技术，具体地说是一种氧化锆涂层的制备工艺，采用电弧离子镀技术在合金基体或电弧离子镀MCrAlY涂层上利用纯Zr或ZrY合金靶材在O2气氛内反应沉积ZrO2或Zr(Y)O2涂层。本发明所涉及的这种氧化锆涂层制备工艺具有好的工艺重复性和容易实现工业化生产等优点，制得的ZrO2和Zr(Y)O2涂层组织均匀致密，为柱状晶结构，具有良好的结合强度，Zr(Y)O2涂层抗热冲击性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锆 涂层 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种氧化锆涂层制备工艺，其特征在于：采用电弧离子镀技术在合金基体或电弧离子镀MCrAlY涂层上沉积ZrO2或Zr(Y)O2涂层。
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