[发明专利]一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法无效
| 申请号： | 200710012486.0 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101109046A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 秦克;崔建忠 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C22C1/02 | 分类号： | C22C1/02;C22C1/03;C22C21/02 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110004辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，在过共晶铝硅合金熔体中添加Cr元素，添加量为熔体总重量的0.8％－1.5％，添加Cr元素的熔体温度为750℃－770℃，Cr元素以Cr剂或以Al－Cr中间合金形式添加到熔体中。本发明方法简单，操作方便，易于掌握，效果明显；与快凝技术相比较，合金化方法成本低；合金化方法易于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 共晶铝硅 合金 宏观 偏析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法，其特征在于包括以下步骤：1)按照常规方法熔炼过共晶铝硅合金；2)在熔体温度为750℃-770℃时，向熔体中添加熔体总重量的0.8％-1.5％的Cr元素，Cr元素以Cr剂或以Al-Cr中间合金形式添加到熔体中；3)添加合金元素后，使熔体温度保持在740℃-770℃，向熔体中充入六氯乙烷或氩气，对合金熔液进行除气处理；4)铸造。
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