[发明专利]一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法无效

专利信息
申请号: 200710012486.0 申请日: 2007-08-17
公开(公告)号: CN101109046A 公开(公告)日: 2008-01-23
发明(设计)人: 秦克;崔建忠 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C1/03;C22C21/02
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 代理人: 梁焱
地址: 110004辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法,在过共晶铝硅合金熔体中添加Cr元素,添加量为熔体总重量的0.8%-1.5%,添加Cr元素的熔体温度为750℃-770℃,Cr元素以Cr剂或以Al-Cr中间合金形式添加到熔体中。本发明方法简单,操作方便,易于掌握,效果明显;与快凝技术相比较,合金化方法成本低;合金化方法易于工业化生产。
搜索关键词: 一种 抑制 共晶铝硅 合金 宏观 偏析 方法
【主权项】:
1.一种抑制过共晶铝硅合金硅宏观偏析的合金化方法,其特征在于包括以下步骤:1)按照常规方法熔炼过共晶铝硅合金;2)在熔体温度为750℃-770℃时,向熔体中添加熔体总重量的0.8%-1.5%的Cr元素,Cr元素以Cr剂或以Al-Cr中间合金形式添加到熔体中;3)添加合金元素后,使熔体温度保持在740℃-770℃,向熔体中充入六氯乙烷或氩气,对合金熔液进行除气处理;4)铸造。
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