[发明专利]一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710013839.9 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101034686A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;李树强;夏伟;张新;任忠祥;赵克家;张成山 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/20;H01L33/00;H01L31/0304;H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳元素掺杂P型磷化镓材料，该P型磷化镓材料是以碳元素作为P型磷化镓半导体材料的掺杂元素。该材料的制备方法是：采用金属有机物化学气相沉积技术，将有机镓源和磷源通入反应室，让其在高温下发生分解，并在衬底片表面发生反应生成磷化镓材料；在磷化镓材料生成过程中通过输入含碳元素的物质引入碳杂质，也可以利用有机镓源在热分解过程中本身产生的碳原子掺入。本发明以碳元素替代Mg或Zn，由于碳掺杂具有很小的扩散系数，性质稳定，可以制作高掺杂GaP材料，具有高效率、低扩散、高稳定的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型磷化镓半导体材料，其特征在于：是以碳元素作为磷化镓半导体材料的P型掺杂元素。
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