[发明专利]一种高亮度发光二极管芯片的制备方法无效
| 申请号： | 200710014001.1 | 申请日： | 2007-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101030616A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 任忠祥;夏伟;徐现刚;李树强 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高亮度发光二极管芯片的制备方法，是将半切工艺用光刻腐蚀法替代，用光刻胶作腐蚀保护层，通过选择性曝光、显影、化学腐蚀的方法，完成共GaAs衬底负极，分离发光二极管芯片的正极。具体方法是发光二极管芯片在完成常规工艺后，在测试前进行以下步骤：(1)匀胶；(2)烘烤；(3)曝光：(4)显影；(5)烘烤；(6)腐蚀。本发明采用化学腐蚀方法完全替代了常规工艺中的“半切”，只需对芯片进行最后完全分离时的切割，完全不接触PN结面，避免了对PN结硬性的损伤，提高了器件的合格率，生产效率提高了一倍。化学腐蚀形成的PN结发光区为光亮完整的碗状台面，有利于向四周发射的光出射，LED芯片的发光亮度比常规方法能增加10％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 亮度 发光二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管芯片的制备方法，其特征是：发光二极管芯片在完成常规工艺后，进行测试前按以下步骤进行：(1)匀胶：均匀地在发光二极管外延晶片表面涂上正性光刻胶；(2)烘烤：将涂正性光刻胶后的发光二极管外延晶片放入烘箱内，在100～150度温度下烘烤10～30分钟；(3)曝光：通过掩模板在紫外光刻机上曝光，对准原有的电极图形，在各芯片之间的20～50微米宽度的区域内曝光；(4)显影：用弱碱性溶液显影；(5)烘烤：将显影后的发光二极管外延晶片放入烘箱内，在100～150度温度下烘烤15分钟；(6)腐蚀：用化学腐蚀方法，在曝光区域内将GaP及外延层全部腐蚀，露出GaAs衬底。
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