[发明专利]一种超薄双向触发管的制造方法有效
| 申请号： | 200710014588.6 | 申请日： | 2007-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101051607A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 王启进;郭晓丽;刘晓健;朱海涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶恒有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250014山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄双向触发管的制造方法，本发明包括如下步骤：将硅片酸洗→清洗→扩散→刻槽→玻璃钝化→电镀→合金→电镀→测试→划片→裂片；酸洗步骤中硅片腐蚀到100μm±5μm。本发明的有益效果是：本发明有效地解决了超薄、双向触发问题，并且成品率高、简化了工艺和设备，满足了市场的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 双向 触发 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄双向触发管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：将硅片酸洗→清洗→扩散→刻槽→玻璃钝化→电镀→合金→电镀→测试→划片→裂片；酸洗步骤中硅片腐蚀到100μm±5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
