[发明专利]消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法无效
| 申请号： | 200710014822.5 | 申请日： | 2007-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101075023A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李宇飞;侯学元;孙渝明;李群 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250061山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法。该方法是将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度都探出晶体端部一部分，探出部分的电极宽度大于或等于每端整个电极宽度的1/4。这样在反向电场区域没有晶体，那么即使存在反向电场，也不会对电光效应产生相反的作用。本发明将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度的一部分探出晶体端部，使反向电场区域没有晶体，消除了电光晶体内反向电场对电光效应影响，反向电场不会对电光效应产生相反的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 dkdp 晶体 电光 开关 反向 电场 影响 方法 | ||
【主权项】：
1.一种消除DKDP晶体电光开关内反向电场影响的方法，其特征在于：该方法是将DKDP晶体电光开关内加在晶体两端的电极宽度都探出晶体端部一部分，探出部分的电极宽度大于或等于每端整个电极宽度的1/4。
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