[发明专利]基于暗场检测技术的检测方法以及该方法使用的双包层光纤微弯传感器和设备

摘要

本发明公开了一种基于暗场检测技术的检测方法以及该方法使用的双包层光纤微弯传感器和设备，属于光纤传感技术领域，利用穿过双包层光纤的双包层光纤微弯传感器感应外界物理场的变化，并通过双包层光纤耦合器将传感器感应到的暗场相对光强传输给光电探测器。本方案具有测量检测灵敏度高、调制程度高、安全性能好、几个传感器连接可分布式传感、抗电磁干扰和结构简洁安装方便等优点。

主权项

1、基于暗场检测技术的检测方法，其特征在于包括如下步骤：1)选择一种双包层光纤；2)根据公式(1)，对于选定的光纤，设计变形器，最佳的变形周期为：${\Lambda }_c=\frac{\sqrt{2}\pi {\mathrm{an}}_0}{\mathrm{NA}}$ a为纤芯半径；n0为纤芯折射率；NA为光纤数值孔径3)将步骤2)的变形器包裹在步骤1)的双包层光纤上，构成双包层光纤微弯传感器；4)双包层微弯传感器前端通过一个双包层光纤耦合器与光源相连接，双包层光纤耦合器将光源的光载波耦合到双包层光纤的纤芯中；5)光源的光载波通过双包层光纤送给变形器，物理场通过变形器把作用力传递给光纤，使光纤产生微弯变形，由于光纤的变形导致辐射模的辐射增大或减小，从而实现了对光载波强度的调制；6)双包层微弯传感器后端通过一个双包层光纤耦合器与光电检测器相连接，通过双包层光纤耦合器将双包层光纤内包层中传输的信号提取出来并送入光电探测器进行检测。