[发明专利]一种参考电压模块及其温度补偿方法无效
申请号: | 200710017243.6 | 申请日: | 2007-01-16 |
公开(公告)号: | CN101030085A | 公开(公告)日: | 2007-09-05 |
发明(设计)人: | 邵志标;张春茗;耿莉 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G05F3/08 | 分类号: | G05F3/08;G05F3/24;H03M1/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国智 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明针对在标准CMOS工艺条件下,不通过增加工艺成本的方法很难实现高阶温度补偿的问题,公开了一种低温度系数,低噪声,高精度的参考电压模块及其温度补偿方法。参考电压模块包括电流IVbe产生电路、电流IPTAT产生电路、自启动电路,电流IVbe产生电路的输出电流IVbe、电流IPTAT产生电路的输出电流IPTAT分别分两路输出连接到一个高阶电流INL产生电路,该高阶电流INL产生电路的二阶电流INL通过比例系数C1,2输出到一个全差分参考电压电路,电流IVbe通过比例系数A、电流IPTAT通过比例系数B分别输出连接到全差分参考电压电路。所述温度补偿方法是在高阶电流INL产生电路中进行全温区分段曲率校正,同时在全差分参考电压电路中进行电阻微调。 | ||
搜索关键词: | 一种 参考 电压 模块 及其 温度 补偿 方法 | ||
【主权项】:
1.一种参考电压模块,包括电流IVbc产生电路、电流IPTAT产生电路、自启动电路,所述自启动电路在上电时产生的脉冲分别输入电流IVbe产生电路和电流IPTAT产生电路,其特征是,所述电流IVbe产生电路的输出电流IVbe分两路输出连接到一个高阶电流INL产生电路的输入端,其中一路通过比例系数K3 输出;电流IPTAT产生电路的输出电流IPTAT分两路输出连接到所述高阶电流INL产生电路的输入端,其中一路通过比例系数K1输出:所述高阶电流INL产生电路的二阶电流INL通过比例系数C12输出到一个全差分参考电压电路的输入端;所述电流IVbe通过比例系数A、所述电流IPTAT通过比例系数B分别输出连接到所述全差分参考电压电路的输入端,该全差分参考电压电路4输出端输出参考电压VREF=VREF+-VREF-。
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