[发明专利]一种制备纳米材料的真空管式设备无效

专利信息
申请号: 200710017879.0 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101063226A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 王发展;原思聪 申请(专利权)人: 西安建筑科技大学
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B29/22
代理公司: 西安西达专利代理有限责任公司 代理人: 第五思军
地址: 710055*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种制备纳米材料的真空管式设备,它包括密封的真空室(2),所述真空室(2)设置在炉体(1)内,真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7),其特征是:该真空室(2)连接有至少一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16)。本发明采用控制源组分通量技术,可实现组分的精确控制、梯度掺杂和衬底的原位操作等功能;全系统由计算机控制,因此自动化程度高、控制精度高、数据的准确性强;该设备还具有设备简单、结构紧凑、操作简便、使用费用低等、生产效率高、节约能源优点。
搜索关键词: 一种 制备 纳米 材料 真空管 设备
【主权项】:
1、一种制备纳米材料的真空管式设备,它包括密封的真空室(2),所述真空室(2)设置在炉体(1)内,所述真空室(2)设有用于输送源材料蒸气的载气(11)和用于与源材料蒸气反应的载气(12),真空室(2)内气流下游处设置有衬底(7),其特征是:该真空室(2)连接有至少一个能控制和调节源材料蒸发速率的源材料蒸发器(16)。
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