[发明专利]氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法无效
| 申请号： | 200710017888.X | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101071775A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张景文;高群;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/467 | 分类号： | H01L21/467;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 紫外 平面 成像 阵列 制作 工艺 中的 化学 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法，其特征在于，该方法对采用常规的光刻方法制作好氧化锌材料的掩模，以质量浓度为5％-10％的氯化铵水溶液对掩模进行化学刻蚀，刻蚀时间为20分钟至50分钟，刻蚀速率为26nm/min～625nm/min，即可氧化锌薄膜上获得平整的刻蚀表面和氧化锌紫外焦平面成像阵列纵横比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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