[发明专利]连续逆压印图型直接转移式制造图案化磁记录介质的方法

摘要

本发明公开了一种连续图型直接转移式图案化磁记录介质的制造方法，适用于高密度磁存储类器件的制作。利用已经图型化的圆柱形压印模具，通过微接触逆压印技术，将模具微结构凸面的光刻胶转移到基底表面，形成图型化的掩蔽层，再通过电镀工艺，使基底表面的非掩蔽区生长具有图型化特征的磁性介质层，并采用等离子刻蚀工艺使掩蔽层和图型化磁记录介质平面平坦化，制作成由非磁性材料填充间隔的图案化磁性记录介质。

主权项

1、一种采用连续图型直接转移制造图案化磁记录介质的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，首先在基底上沉积一层导电金属过渡薄膜层，该导电金属过渡薄膜层作为后继电镀工序所需的导电电极；步骤二，将已有的图型化圆柱形模具浸入防粘剂中进行防粘处理，取出后进行干燥，所述的防粘剂是烷基三氯硅烷甲苯溶液；步骤三，然后进行逆压印图型连续直接转移，用已图案化的圆柱形压印模具，沾取适量的光刻胶，当圆柱形压印模具凸面上的光刻胶旋转到与基底上的导电金属过渡薄膜层接触时，光刻胶被粘附到基底的导电金属过渡薄膜层表面上；经紫外光固化后，光刻胶在基底的导电金属过渡薄膜层表面上形成图型化掩蔽层；步骤四，在光刻胶的非掩蔽区，以导电金属过渡薄膜层为电镀的一个电极，以图型化的光刻胶为掩蔽层，在非掩蔽区的导电金属过渡薄膜层上生长磁性介质层；步骤五，将电镀后的图型进行等离子刻蚀，使光刻胶和磁性介质层的图型平坦化，即得到由非磁性材料填充图型间隔的图案化磁记录介质。