[发明专利]等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构有效
申请号: | 200710018519.2 | 申请日: | 2007-08-21 |
公开(公告)号: | CN101109077A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 吴振宇;杨银堂;汪家友;李跃进 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/30;C23C16/54;H01L21/762 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;黎汉华 |
地址: | 71007*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜,利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体,并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜,具体过程为:衬底清洗并放入工艺室;对工艺室抽真空;通入混合气体;在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜;净化工艺室。其中,在淀积氟化非晶碳膜前后,可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点,可用于集成电路互连或者某些光学器件的制造。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 化学 汽相淀积 氟化 非晶碳膜 方法 结构 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法,包括如下过程:将衬底清洗后放在工艺室,并对工艺室抽真空;将辅助性碳氢源气体与碳氟源气体相混合后通入工艺室;利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的碳氢源气体和碳氟源气体进行电离分解,并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面,按如下工艺条件在衬底上淀积氟化非晶碳膜:工艺室压力:0.1Pa~5Pa;微波功率:600W~2000W;淀积温度:30℃~300℃范围;碳氢源气体的流量:5~10sccm;碳氟源气体的流量:50~200sccm;衬底以圆心为转轴旋转,旋转速率保持为60转/分钟;获得600埃到2200埃的单层氟化非晶碳膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的