[发明专利]一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法

摘要

本发明公开一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空；设定工艺条件；将硅源气体与氧化源气体先混合后再通入工艺室，利用电子回旋共振效应产生等离子体，并在衬底上淀积氧化硅薄膜，该工艺条件是：硅源气体流量为5～50标准状态毫升每分钟，氧化源气体流量为50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力为1.0帕～4.0帕；微波功率为1000瓦～3500瓦；衬底温度为室温～100℃；衬底转动速率为60转/每分钟。本发明在100℃以下低温下均匀淀积介电常数接近3.2的氧化硅薄膜，具有介电常数低，淀积速率高、工艺温度低、大面积均匀的优点，可用于集成电路互连介质或某些光学器件材料的制作。

主权项

1.一种低介电常数氧化硅薄膜的化学气相淀积方法，包括如下过程：(1)清洗晶片衬底，并放入工艺室；(2)工艺室抽真空；(3)设定如下工艺条件后，将混气罐中的工艺气体通入工艺室，开启微波源，将微波能量馈送到ECR等离子体源中，产生等离子体，并按已设定工艺条件淀积氧化硅膜：硅源气体流量：5～50标准状态毫升每分钟；氧化源气体流量：50～150标准状态毫升每分钟；工艺室压力：1.0帕～4.0帕；微波功率：1000瓦～3500瓦；淀积温度：室温～100℃；衬底转动速率：60转/每分钟。