[发明专利]一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源

摘要

一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源，采用工艺偏差补偿电阻，连接在晶体管基极，使得晶体管基极－发射极电压与工艺偏差补偿电阻Rb₁上电压之和不受工艺偏差的影响，从而得到初始精度高、无需修正的高精度电压基准源。

主权项

1.一种采用工艺偏差补偿结构的电压基准源，包括MOS管M1、M2，MOS管M1的源极连接到节点VDD，栅极连接到节点C，漏极连接到节点Vref，MOS管M2的源极连接到节点VDD，栅极连接到节点C，漏极连接到节点D，比例电阻R2a连接在节点B与节点Vref之间，匹配电阻R2b连接在节点A与节点D之间，误差放大器amp的正输入端连接到节点B，负输入端连接到节点A，输出端连接到节点C，晶体管基极-发射极压差电阻R1连接在节点B与节点E之间，晶体管Q1的发射极连接到节点E，基极连接到节点G，集电极连接到节点GND；晶体管Q2的发射极连接到节点A，基极连接到节点F，集电极连接到节点GND，其特征在于：第一工艺偏差补偿电阻Rb1连接在节点G与节点GND之间，第二工艺偏差补偿电阻Rb2连接在节点F与节点GND之间。