[发明专利]单晶硅薄膜及其组件的制备方法有效
| 申请号： | 200710018889.6 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101225543A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 范多旺;王成龙;范多进;令晓明;赵琳 | 申请（专利权）人： | 兰州大成自动化工程有限公司;兰州交通大学 |
| 主分类号： | C30B23/08 | 分类号： | C30B23/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张真 |
| 地址： | 730070*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1－5s/cm2，并采用惰性气体防止氧化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99％的高纯硅块体，溅射时功率密度为1－10W/cm2，靶和基底的距离为50－300mm，镀膜时，真空室体的温度为100－160℃，在工件和真空室体间加占空比为40－80％的200－1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5－5μm。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 薄膜 及其 组件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅薄膜制备方法，其特征包括有如下步骤：(1)基底抛光：将基底表面的粗糙度通过抛光达到0.1-0.8μm；(2)基底清洗，将抛光后的基底，用静电除尘枪清洗，气体为惰性气体，压力为1-10Mpa；速度为1-5s/cm2；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99％的高纯硅块体，溅射时功率密度为1-10W/cm2，靶和基底的距离为50-300mm，镀膜时，真空室体的温度为100-160℃，在工件和真空室体间加占空比为40-80％的200-1000V的直流偏压，磁场强度300～500Gs；沉积厚度为0.5-5μm。
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