[发明专利]一种低温烧结的Ti基微波介质陶瓷材料及其制备

摘要

本发明公开了一种低温烧结的Ti基微波介质陶瓷材料，制得该Ti基微波介质陶瓷材料以金红石相TiO₂为主晶相，其配方通式为：(A_xM_2x)(N_yTi_1－y)_1－3xO₂、(B_xM_3x)(N_yTi_1－y)_1－4xO₂、(C_xM_x)(N_yTi_1－y)_1－2xO₂或(1－m) TiO_2－mBi₂Ti₄O₁₁，其中A为Zn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺等二价离子的一种，B为Li⁺等一价离子的一种，C为Al³⁺、Fe³⁺等三价离子的一种，M＝Nb⁵⁺、Ta⁵⁺、Sb⁵⁺等五价离子的一种，N＝Zr⁴⁺、Sn⁴⁺、Mn⁴⁺等四价离子的一种，0≤x≤0.25，0≤y≤0.5，0≤m≤0.15，0≤n≤2。该低温烧结的微波介质陶瓷具有介电常数高，介电损耗小，谐振频率温度系数覆盖范围宽，烧结温度低，制备工艺简单，谐振频率温度系数可以根据材料组成调节。可用于低温共烧陶瓷系统(LTCC)、多层介质谐振器、滤波器等微波器件的制造。

主权项

1.一种低温烧结的Ti基微波介质陶瓷材料，其特征在于，制得该Ti基微波介质陶瓷材料以金红石相TiO2为主晶相，其配方通式为：(AxM2x)(NyTi1-y)1-3xO2、(BxM3x)(NyTi1-y)1-4xO2、(CxMx)(NyTi1-y)1-2xO2或(1-m)TiO2-mBi2Ti4O11，其中A为Zn2+、Cu2+、Ni2+等二价离子的一种，B为Li+ 等一价离子的一种，C为Al3+、Fe3+等三价离子的一种，M＝Nb5+、Ta5+、Sb5+ 等五价离子的一种，N＝Zr4+、Sn4+、Mn4+等四价离子的一种，0≤x≤0.25，0≤y≤0.5，0≤m≤0.15，0≤n≤2。