[发明专利]手性优化的多壁碳纳米管低温生长方法无效
| 申请号： | 200710019260.3 | 申请日： | 2007-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101003368A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郭万林;郭宇锋 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 阙如生 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种手性优化的多壁碳纳米管低温生长方法，属多壁碳纳米生长方法。该生长方法是，采用气相化学沉积法、等离子辅助气相化学沉积法和催化剂辅助生长法，制备多壁碳纳米管时，严格控制生长温度在最低临界温度附近30K范围内和在适当的合成系统中能够生长出符合能量优化规律的多壁碳纳米管。在小直径情况下，各层具有锯齿型或近锯齿型手性；而在大直径情况下，碳纳米管各层具有从锯齿型到扶手椅型的全同或近全同手性。越低的生长温度将明显提高符合上述手性规律的多壁碳纳米管的出现概率。 | ||
| 搜索关键词： | 手性 优化 多壁碳 纳米 低温 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种手性优化的多壁碳纳米管低温生长方法，其特征在于，采用气相化学沉积法，等离子辅助气相化学沉积法和催化剂辅助生长法制备多壁碳纳米管时，控制生长温度在最低临界生长温度的30绝对单位温度范围内，能获得具有能量最优的手性结构的多壁碳纳米管。
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