[发明专利]一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法

摘要

一种大面积低弯曲超薄型硅片双面照光太阳能电池制作方法：在一薄型P或N硅片上，使用N杂质扩散工艺制备N型表面掺杂层，用以形成发射区或表面场。利用丝网印刷工艺将含铝浆料按预设图形压印在硅片表面上，再在其后的烧结工艺中将铝作为掺杂物质扩散进硅片中，以此制备成预设的P型掺杂区域，用以形成发射区或表面场。硅片的表面可以是制成绒面状的或没有制成绒面状，并在正反两表面都被覆盖有氮化硅或氧化硅等一层或复层介电物质用以形成减反射和钝化膜。金属电极的制备工艺采用丝网印刷技术，将相应的金属浆料按预设图形分别压印在硅片正反表面上，再在其后的烧结工艺中形成导电电极并和硅片表面预设区域形成电导接触。本发明制作方法只在电池背面的局部区域使用了金属化，可实现电池的双面照光，也减少了超薄型硅片弯曲，并利用氮化硅或氧化硅对电池的背表面作钝化而实现高转换效率。

主权项

1.一种大面积低弯曲超薄型硅片双面照光太阳能电池制作方法，其特征是在一薄型P或N硅片上，使用N杂质扩散工艺制备N型表面掺杂层，掺杂层厚度控制在0.2-4.0微米，最高掺杂浓度控制在1.0×1016cm-3-1.0×1020cm-3，用以形成发射区或表面场。