[发明专利]掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法无效
| 申请号： | 200710020068.6 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017873A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄锐;陈坤基;钱波;韩培高;李伟;徐骏;王祥;马忠元;黄信凡 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。 | ||
| 搜索关键词： | 掺氧硅基 氮化物 薄膜 黄绿 波段 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，其特征是在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNx薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。
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