[发明专利]高压MOSFET器件无效
| 申请号： | 200710021390.0 | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101030601A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 韩小亮;王非 | 申请（专利权）人： | 韩小亮 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/092 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210000江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高压MOSFET器件，P或N型衬底上具有深n－well，起码设有第一n－well，第二n－well和第一和第二p－well，n－well和p－well上设有n+掺杂区或p+掺杂区上，并在n+掺杂区或p+掺杂区上引出源极或漏极，栅极一般是从多晶硅栅上引出，多晶硅栅覆盖于n－well或p－well上薄栅氧区(46)，栅极和漏极之间起码设有一个STI浅沟槽绝缘层；多晶硅栅延伸到STI区上。在高压漏极和第二p－well之间有一层低杂质p型衬底，防止两者之间可能产生的击穿。本发明的带浅沟槽隔离的高压MOSFET器件；在不改变现有CMOS工艺的条件下将抗击穿能力结合到标准亚微米CMOS中。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1、高压MOSFET器件，在P或N型衬底上具有深n-well，起码设有第一n-well，第二n-well和第一和第二p-well，n-well和p-well上设有n+掺杂区或p+掺杂区上，并在n+掺杂区或p+掺杂区上引出源极或漏极，栅极是从多晶硅栅上引出，其特征是多晶硅栅覆盖于n-well或p-well上薄栅氧区(46)，栅极和漏极之间起码设有一个STI浅沟槽绝缘层；多晶硅栅延伸到STI区上。
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