[发明专利]微电子机械系统正面结构释放的保护方法有效
| 申请号： | 200710022359.9 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101077767A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 秦明;张筱朵;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 微电子机械系统正面结构释放的保护方法是一种MEMS(微电子机械系统)后处理中正面结构释放的正面保护方法，先在整个芯片正面淀积一层中间层(2)物质，然后利用光刻、腐蚀工艺制作出中间层(2)的图形，确保芯片正面本身有铝焊盘或铝引线(4)的部分覆盖上中间层(2)；接着在整个芯片正面上淀积一层铝，利用光刻、腐蚀工艺制作出铝层(1)的图形即开腐蚀窗口，此时已完成了复合膜的制作；然后将以上已制作复合膜的芯片放入优化后的TMAH腐蚀液对正面体硅(5)腐蚀，体硅(5)腐蚀之后将铝层(1)用湿法腐蚀掉；中间层(2)如果选择有机膜则用干法刻蚀的办法将它去掉，如果选择钛层和金层则用湿法腐蚀方法将其去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 机械 系统 正面 结构 释放 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微电子机械系统正面结构释放的保护方法，其特征是包括以下步骤：1.)先在整个芯片正面淀积一层中间层(2)物质，然后利用光刻、腐蚀工艺制作出中间层(2)的图形，确保芯片正面本身有铝焊盘或铝引线(4)的部分覆盖上中间层(2)，2.)接着在整个芯片正面上淀积一层铝，利用光刻、腐蚀工艺制作出铝层(1)的图形即开腐蚀窗口，此时已完成了复合膜的制作，3.)然后将以上已制作复合膜的芯片放入优化后的TMAH腐蚀液对正面体硅(5)腐蚀，体硅(5)腐蚀之后将铝层(1)用湿法腐蚀掉；中间层(2)如果选择有机膜则用干法刻蚀的办法将它去掉，如果选择钛层和金层则用湿法腐蚀方法将其去掉。
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