[发明专利]半导体芯片电接点用金属凸块的圆角补偿方法无效
| 申请号： | 200710022571.5 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101071782A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈文勇;许红飞 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片电接点用金属凸块(bump)的圆角补偿方法，其特征在于：在采用光刻与电镀方法相结合的金属凸块制作过程中，将光罩上凸块图形中理论设计的各拐角向外侧延伸，增加开窗尺寸，弥补凸块图形拐角在显影中向内的收缩变形，从而保证实际制作的金属凸块拐角与理论设计的几何形状一致。本发明涉及半导体集成电路封装技术领域，解决了金属凸块(bump)制作过程中拐角变形成圆角的问题，优化了凸块的角部形状，提高产品的性能及合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 接点 金属 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体芯片电接点用金属凸块的圆角补偿方法，其特征在于：在采用光刻与电镀方法相结合的金属凸块制作过程中，将光罩上凸块图形中理论设计的各拐角向外侧延伸，增加开窗尺寸，弥补凸块图形拐角在显影过程中向内的收缩变形，从而保证实际制作的金属凸块拐角与理论设计的几何形状一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
