[发明专利]一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法无效
| 申请号： | 200710022677.5 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101093743A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 甘跃 | 申请（专利权）人： | 甘跃 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C7/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐晖 |
| 地址： | 241300安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法包括：酸洗工序、单面粗化固化工序、单面固化工序、双面粗化工序、双面粗化层再固化工序、双面固化层镀镍工序、双面镀镍层偶联工序，本发明与现有技术相比：具有工艺简单、质量均匀、生产成本低、可以大规模连续生产的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 聚合物 热敏电阻 制造 电解 铜箔 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于聚合物热敏电阻制造的电解铜箔生产方法，包括：酸洗工序、单面粗化固化工序、单面固化工序、双面粗化工序、双面粗化层再固化工序、双面固化层镀镍工序、双面镀镍层偶联工序，其特征在于：所述的单面固化工序的工作条件为：电流密度：20～40A/dm2；温度：30～60℃；Cu2+：50～90g/L；H2SO4：70～110g/L；所述的双面粗化工序的工作条件为：电流密度：12～30A/dm2；温度：21～35℃；Cu2+：10～22g/L；H2SO4：50～90g/L；十二烷基硫酸钠：0.5～15mg/L；所述的双面粗化层再固化工序的工作条件为：电流密度：20～40A/dm2；温度：30～60℃；Cu2+：50～90g/L；H2SO4：70～110g/L；所述的双面固化层镀镍工序的工作条件为：电流密度：10～30A/dm2；温度：30～60℃；Ni2+：20～90g/L；所述的双面镀镍层偶联工序的工作条件为：A-187：0.1～1.0％；温度：15～50℃。
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