[发明专利]Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法有效
| 申请号： | 200710023307.3 | 申请日： | 2007-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101070616A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张庆礼;殷绍唐;丁丽华;刘文鹏;孙敦陆;谷长江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种两种Yb掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法，它们的分子式可表为Yb2xLa2(1－x)GeO5、Yb2xGd2(1－x)GeO5(x＝0.0001～1)，可用Yb2O3、La2O3、Gd2O3、GeO2，或相应的镱、镧、钆、锗的其它化合物进行配料，只要能最终化合为Yb2xRE2(1－x)GeO5(RE＝La，Gd)即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；对于需用籽晶来定向生长的熔体法，籽晶为Yb2xRE2(1－x)GeO5单晶或RE2GeO5单晶。Yb2xGd2(1－x)GeO5单晶可用作LD泵浦的超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。 | ||
| 搜索关键词： | yb 掺杂 锗酸钆 锗酸镧 及其 熔体法 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、两种Yb掺杂的锗酸盐晶体，其特征在于：化合物的分子式表示为Yb2xRE2(1-x)GeO5，其中：RE代表稀土离子La、Gd，x的取值范围为0.0001～1。
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