[发明专利]一种制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法无效
| 申请号： | 200710023415.0 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101092737A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 宋凤麒;周丰;韩民;贺龙兵;张璐;赵时峰;万建国;王广厚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/64 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1－50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。在本发明中，利用荷能团簇束流沉积的方法来制备超薄的纳米晶片，是因为荷能团簇束流沉积可以使数百成千个原子以同一速度到达衬底，而接近整个颗粒结合能的动能在荷能纳米颗粒与衬底完成接触的瞬间消失作用在纳米颗粒上，促进了密堆积结构晶核的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 具有 堆积 结构 纳米 超薄 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、制备具有密堆积结构的纳米超薄晶片的方法，其特征是采用气相团簇束流源产生颗粒直径在1-50纳米之间尺寸分布集中的纳米团簇束流，以纳米晶片的材料压制成为溅射靶材，并将其电离，加速，使得从其出发到衬底时的纳米颗粒能量在接近或刚超过颗粒的整个结合能的区间，衬底选用非取向的非晶衬底，将纳米颗粒束流高能沉积在衬底上。
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