[发明专利]化学腐蚀法制备3C-SiC纳米颗粒的方法无效

专利信息
申请号: 200710023478.6 申请日: 2007-06-05
公开(公告)号: CN101058725A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 朱骏;吴兴龙;沈剑沧;刘钊 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C09K11/65 分类号: C09K11/65;C09K11/56
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 汤志武;王鹏翔
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 化学腐蚀法制备3C-SiC纳米颗粒的方法,用氢氟酸、硝酸的混和液腐蚀普通3C-SiC粉末,所用原始粉末尺度大于微米量级,腐蚀所用酸为浓度35%-45%的氢氟酸与浓度60%-70%的硝酸,体积比为2.0-3.0∶1.0;加热至80℃-100℃,反应时间为0.5-2.0小时;冷却后将反应后的酸液与粉末一起在高速离心机中离心,倒除上层酸液,取下层粉末,在烘箱中70℃-90℃进行干燥;在干燥后的粉末中加入去离子水或无水乙醇,超声空化30-60分钟,取上层清液;此去离子水或无水乙醇清液中即含有尺寸小于8nm的3C-SiC纳米颗粒。本发明制备方法简单,无需复杂的装置。
搜索关键词: 化学 腐蚀 法制 sic 纳米 颗粒 方法
【主权项】:
1、化学腐蚀法制备3C-SiC纳米颗粒的方法,其特征是用氢氟酸、硝酸的混和液腐蚀普通3C-SiC粉末,所用原始粉末尺度大于微米量级,腐蚀所用酸为浓度35%-45%的氢氟酸与浓度60%-70%的硝酸,体积比为2.0-3.0∶1.0;反应时混和酸是3C-SiC粉末的5-15倍以上,加热至80℃-100℃,反应时间为0.5-2.0小时;冷却后将反应后的酸液与粉末一起在高速离心机中离心,倒除上层酸液,取下层粉末,在烘箱中70℃-90℃进行干燥;在干燥后的粉末中加入去离子水或无水乙醇,超声空化30-60分钟,静置数小时或离心沉淀去除下层沉淀物,取上层清液;此去离子水或无水乙醇清液中即含有尺寸小于8nm的3C-SiC纳米颗粒。
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