[发明专利]异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200710023524.2 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101079446A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陈军宁;柯导明;代月花;高珊;徐超;孟坚;吴秀龙 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅和漏栅的异质双栅结构，由第一级场极板和第二级场极板构成多阶梯场极板，源栅、漏栅、第一级场极板和第二级场极板依次相连；源和漏分别设置在沟道阱区和阱漂移区上；栅氧化层设在源栅、漏栅与沟道阱区之间，在沟道阱区上设有阱接触孔；场氧化层在第一级场极板、第二级场极板以及阱漂移区之间；氧化层覆盖在多阶梯场极板之上；沟道阱区和阱漂移区均位于衬底之上。本发明在保持横向双扩散金属氧化物半导体管击穿特性的基础上，有效提高驱动电流、跨导，减小导通电阻，并降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 异质栅多 阶梯 极板 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅(3)和漏栅(4)的异质双栅结构，由第一级场极板(11)和第二级场极板(12)构成多阶梯场极板，源栅(3)、漏栅(4)、第一级场极板(11)和第二级场极板(12)依次相连；源(1)和漏(2)分别设置在沟道阱区(6)和阱漂移区(7)上；栅氧化层(8)设在源栅(3)、漏栅(4)与沟道阱区(6)之间，在沟道阱区(6)上设有阱接触孔(61)；场氧化层(9)在第一级场极板(11)、第二级场极板(12)以及阱漂移区(7)之间；氧化层(10)覆盖在所述多阶梯场极板之上；沟道阱区(6)和阱漂移区(7)均位于衬底(5)之上。
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