[发明专利]一种制备三族氮化物衬底的方法有效
| 申请号： | 200710023555.8 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101086083A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | 徐科;杨辉;王建峰;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/14 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备三族氮化物衬底的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长三族氮化物薄膜，薄膜厚度在50纳米到50微米之间；(2)用高能量激光从衬底背面入射辐照，使三族氮化物薄膜和蓝宝石衬底不完全剥离，分离面积为总面积的10％到99％之间，所述高能量激光的光子能量在三族氮化物与蓝宝石的带宽之间；(3)对处理后的三族氮化物及蓝宝石衬底采用卤化物气相外延生长法继续进行三族氮化物薄膜生长，至所需厚度，即获得所需的三族氮化物衬底。本发明能保证获得薄膜的平整度，也可实现薄膜与蓝宝石衬底的原位自动分离，从而获得所需厚度的自支撑外延薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化物 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备三族氮化物衬底的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1)在蓝宝石衬底1上生长三族氮化物薄膜2，薄膜厚度在50纳米到50微米之间；(2)用高能量激光3从衬底背面入射辐照，使三族氮化物薄膜和蓝宝石衬底不完全剥离，分离面积为总面积的10％到99％之间，所述高能量激光的光子能量在三族氮化物与蓝宝石的带宽之间；(3)对处理后的三族氮化物及蓝宝石衬底采用卤化物气相外延生长法继续进行三族氮化物薄膜生长，至所需厚度，即获得所需的三族氮化物衬底。
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