[发明专利]钼酸镧基固体电解质薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710024176.0 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101348279A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王建新;张德明;王先平;方前锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;C01F17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼酸镧基固体电解质薄膜材料及其制备方法。材料为基底上覆有厚度为50nm～10μm的钼酸镧基构成的固体电解质多晶薄膜，其由粒径为10～90nm的钼酸镧基粒子构成；方法为(a)按照(La2－xAx)(Mo2－yBy)O9－δ成分比，称取氧化镧、镧位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐、钼酸铵和钼位掺杂物的氧化物或硝酸盐或乙酸盐配成溶液，并依次将硝酸镧溶液、镧位掺杂物和钼位掺杂物溶液以及柠檬酸加入搅拌下的钼酸铵溶液中，然后将其置于60～100℃下搅拌2～10小时后过滤得溶胶；(b)将溶胶与水溶性高分子聚合物混合得涂膜胶体；(c)将涂有涂膜胶体的基底升温至600～650℃并于550～600℃下保温10～50小时制得材料。它可在中温燃料电池、氧传感器上作为固体电解质和电极材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | 钼酸 固体 电解质 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钼酸镧基固体电解质薄膜材料，包括基底和具有(La2-xAx)(Mo2-yBy)O9-δ化学式组成的钼酸镧基，化学式中的A为镧位掺杂物，x为0.03～0.3，B为钼位掺杂物，y为0.03～0.5，其特征在于所说基底上覆有所说钼酸镧基构成的固体电解质多晶薄膜，所说固体电解质多晶薄膜的厚度为50nm～10μm，其由粒径为10～90nm的钼酸镧基粒子构成。
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