[发明专利]透明ZnO薄膜制备方法及所得产品无效
| 申请号： | 200710026333.1 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101003894A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 何振辉;陈弟虎;王明东;朱道方;郑昌喜;闻立时 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/52;C23C16/448 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 戴建波;杨献智 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用电弧离子镀法制备透明ZnO薄膜的方法，该方法包括：以Zn作阴极靶；将基片置于与电源正极相连的真空室内；向真空室通入Ar气，并利用高偏压下Ar气的辉光放电对基片表面进行轰击清洗；轰击清洗后，向真空室通入反应气体O2、保护气体Ar以及辅助气体N2，使真空室内的工作压强为0.08～10Pa；向基片施加负偏压；引燃电弧进行镀膜。本发明在磁过滤电弧离子镀法制备透明ZnO薄膜的过程中，增加了辅助气体N2，不但将ZnO薄膜的沉积速度大幅提升，而且提高了ZnO薄膜的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 zno 薄膜 制备 方法 所得 产品 | ||
【主权项】：
1、一种采用电弧离子镀法制备透明ZnO薄膜的方法，该方法包括：以Zn作阴极靶；将基片置于与电源正极相连的真空室内；向所述真空室通入反应气体O2、保护气体Ar以及辅助气体N2，使所述真空室内的工作压强为0.08～10Pa；引燃电弧进行镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
