[发明专利]高亮度发光晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710026965.8 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101017875A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;张建中;孙慧卿;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 51063*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成－于n+型电子发射层(4)上的n－型基区层(6)、与n－型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n－型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高亮度发光晶体管，其特征在于包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。
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