[发明专利]半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200710027519.9 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101074492A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 任山;白云帆;胡卓峰;卢灿荣;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法。该硫化物纳米管阵列是在金属、硅、陶瓷、ITO玻璃或者玻璃衬底上，均匀分布有硫化物纳米管，纳米管外径为50nm～500nm，长度为500nm～30μm，壁厚为5～25nm；纳米管为单晶的半导体硫化物材料。制备方法采用两步法：第一步首先在平整的衬底上生长出平方厘米级以上面积的氧化物纳米线阵列；第二步是将得到的氧化物纳米线阵列在硫化性气体中硫化直接转化为硫化物纳米管阵列。本发明工艺简单，能够实现大面积的一维硫化物纳米阵列的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硫化物 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体硫化物纳米管阵列，在金属、硅、陶瓷、ITO玻璃或者玻璃衬底上，均匀分布有硫化物纳米管，纳米管外径为50nm～500nm，长度为500nm～30μm，壁厚为5～35nm；纳米管为单晶的半导体硫化物材料。
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