[发明专利]凸点发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710029219.4 申请日: 2007-07-18
公开(公告)号: CN101350381A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 罗珮璁;姜志荣;陈海英;肖国伟;陈正豪 申请(专利权)人: 晶科电子(广州)有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 广州凯东知识产权代理有限公司 代理人: 宋冬涛
地址: 511458广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明凸点发光二极管,凸点发光二极管芯片的电极上镀制凸点下金属,凸点下金属上部生长金属凸点;发光二极管芯片上方除电极以外的表面生长有钝化层;封装支架上制作有焊垫;凸点发光二极管的金属凸点倒装焊接在封装支架的焊垫上。其制作方法,包括以下步骤:制作钝化层,溅镀金属牺牲层,制作光刻胶掩膜,形成金属凸点,去除光刻胶掩膜,去除金属牺牲层,减薄、切分成为独立的芯片,并倒装焊于SMD支架上,形成倒装焊LED模组。本发明使发光二极管的芯片不须金线键合及固晶工艺,直接接通电路并组装在基板或金属支架上,实现封装小型化,多芯片模组及成功解决发光二极管的散热问题。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种凸点发光二极管,包括封装支架和凸点发光二极管芯片,其特征在于:凸点发光二极管芯片包括基底、晶体层、发光层、P电极和N电极,在基底上形成N型区域和P型区域晶体层,N型区域和P型区域之间为发光层,在晶体层的N型区域和P型区域分别形成P电极和N电极,P电极和N电极上填充凸点下金属,凸点下金属上部制造有金属凸点;发光二极管芯片上方除电极以外的表面覆盖有钝化层;封装支架内设有用于焊接对应的凸点发光二极管的焊垫;凸点发光二极管芯片通过金属凸点倒装焊接在封装支架的焊垫上。
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