[发明专利]一种大面积电子场致发射纳米结构阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200710029815.2 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101150028A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 任山;刘向阳 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的大面积电子场致发射纳米结构阵列及其制备方法。该场致发射体结构如下：在基体上均匀分布有与基体垂直的、具有针尖状尖端结构的锥形氧化铝纳米锥，在氧化铝纳米锥上涂覆一层电子场致发射材料，在氧化铝基体的孔洞里面填充导电的电极材料。制备方法为：首先对铝箔或附着在基底上的铝进行电化学阳极氧化处理得到表面为带纳米孔洞氧化铝膜的基体；用能与氧化铝反应的浸蚀液对所得的氧化铝膜进行浸蚀处理得到所述大面积有序氧化铝纳米锥阵列；在氧化铝基体的孔洞里面填充导电的电极材料，在氧化铝纳米锥阵列上再涂覆一层电子场致发射材料，制备得到一种新型的大面积电子场致发射纳米结构阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 电子 发射 纳米 结构 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大面积有序电子场致发射纳米结构阵列，该阵列结构为在大面积平整基体上均匀分布有与基体垂直的、具有针尖状尖端结构的氧化铝纳米锥阵列；氧化铝纳米锥之间的基体上分布有纳米尺寸孔洞，在孔洞中填充有作为发射体导电电极的导电材料；在所述每一个氧化铝纳米锥及所述导电材料的表面覆盖有一层电子场发射材料。
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