[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710030261.8 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101159301A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;王钢;范冰丰 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括衬底及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层、发光层和P型层。在衬底的下表面设置有一电极。在P型层的上表面设置有P型电极，其中，部分P型层被刻蚀到N型层，并设置有N型电极，同时在该区域N型层内设有一导电体，其一端与N型电极相连接，另一端与衬底电接触；该导电体由一柱状通孔及填充于通孔内的导电物质构成；该导电体还可延伸至衬底底部，并与衬底下表面的电极相连接。本发明能有效降低半导体发光器件的工作电压，及提高半导体发光器件的输出功率。另外，本发明还公开了一种半导体发光器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其包括衬底(1)及层叠于衬底(1)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下往上依次包含N型层(6)、发光层(5)和P型层(4)，该衬底(1)的下表面设置有电极(10)，该P型层(4)的上表面设置有P型电极(9)，其中，部分P型层(4)被刻蚀到N型层(6)，并设置有N型电极(11)，其特征在于：在N型层(6)露出的区域内设有一导电体，其一端与N型电极(11)相连接，另一端与衬底(1)电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710030261.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
