[发明专利]NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法有效

专利信息
申请号: 200710033015.8 申请日: 2007-12-29
公开(公告)号: CN101470663A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 范敬才;易若翔;胡胜发 申请(专利权)人: 安凯(广州)软件技术有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 代理人: 宣国华
地址: 510630广东省广州市天河*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种支持多平面类型的NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法,把整个NAND闪存空间划分为多个区域,每个区域通过一个MTD进行管理,每个区域内的每个物理平面都抽象为一个逻辑平面,MTD根据上层应用传来的逻辑扇区号计算出相应的逻辑块号,然后根据逻辑块号进行寻址,而逻辑块号通过映射表一一对应伪物理块号,最后MTD根据伪物理块号通过相应的映射算法实现对物理块号的访问。本发明使MTD可以支持包含多个物理平面的NAND闪存,并且独立于不断变化的MLC。
搜索关键词: nand 闪存 mtd 设计 处理 地址 连续 方法
【主权项】:
1、一种NAND闪存的MTD设计中处理地址不连续的方法,其特征在于,它包含以下步骤:a. 把整个NAND闪存空间划分为多个区域,每个区域通过一个MTD进行管理,MTD记录其管理区域的第一个块所位于的物理平面号以及该块相对于该物理平面的偏移量;b. 每个区域内的每个物理平面都抽象为一个逻辑平面,每个逻辑平面都有独立的分配区;c. MTD根据上层应用传来的逻辑扇区号计算出相应的逻辑块号,然后根据逻辑块号进行寻址;d. 上述步骤c所述的逻辑块号通过映射表一一对应伪物理块号;e. MTD根据伪物理块号通过相应的映射算法实现对物理块号的访问。
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