[发明专利]一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法

摘要

本发明涉及一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法，在基底上脉冲电沉积含Cu、In、Ga、Se的预制层，再对预制层进行热处理。本发明方法克服了PVD法或CVD法成本高昂、难于大规模生产，而传统恒电位或恒电流沉积薄膜膜层质量较差等阻碍铜铟镓硒薄膜工业化生产的难题，具有镀层质量好、成本低、易于实现大面积沉积和大规模应用等特点。

主权项

1、脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法，其特征在于：先是在含有铜、铟、镓和硒离子的电沉积溶液中，采用阴极脉冲电位沉积的方法在基底上沉积含铜、铟、镓和硒的预制层CuInaGabSec，a＝0～2，b＝0～2，c＝0～5；其中，电沉积溶液温度为20～150℃，沉积时间为10～150分钟，脉冲电位波形为方波、三角波或正弦波，脉冲电位为-3.0～-0.3Vvs.SCE，占空比为5％～100％，脉冲周期为1～150ms，然后将预制层置于可含固态Se源的真空、空气、氩气或氮气中，在250～550℃温度下热处理0.1～4.5小时，最终生成铜铟镓硒薄膜。