[发明专利]一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法有效
| 申请号： | 200710035015.1 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101058678A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金焱;王进;杨军;徐坚 | 申请（专利权）人： | 株洲时代新材料科技股份有限公司;中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C09C1/28 | 分类号： | C09C1/28;C09C3/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412007湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法。改性蒙脱土最大层间距可以达到1.4nm～7.42nm。所述改性蒙脱土的生产方法是，采用酸性溶液作为分散剂，在一定温度下利用水的溶剂化作用使蒙脱土片层产生剥离，并使蒙脱土表面的Si－O－Si键活化生成Si－OH，最终获得大的片层间距，高表面活性的改性蒙脱土。包括以下步骤：(1)改性溶液的配制：用酸和水按照1∶0.5～2的重量份配比，搅拌混合成酸性分散液；(2)蒙脱土的加入：将粉末状蒙脱土，按照合成酸性分散液与粉末状蒙脱土1∶1～3重量份配比，分批加入到分散液，将温度升高到30℃～90℃温度，搅拌0.5～3小时，冷却过滤，用水洗涤至中性，获得本发明的大层间距改性蒙脱土。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 间距 活性 改性 钙基蒙脱土 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土，其特征在于：改性蒙脱土最大层间距为1.4nm～7.42nm。
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